U309

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Numero di parte
U309
categorie
JFET
RoHS
Scheda dati
Descrizione
JFET JFET N-Channel -25V 20mA 500mW 4mW

specificazioni

categorie
JFET
Configuration
Single
Drain-Source Current at Vgs=0
30 mA
Forward Transconductance - Min
10 ms
Gate-Source Cutoff Voltage
- 4 V
Id - Continuous Drain Current
1 nA
Mounting Style
Through Hole
Package / Case
TO-52-3
Packaging
Bulk
Pd - Power Dissipation
500 mW (1/2 W)
Series
U309
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Type
JFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 25 V

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